電気性能実験室は業界トップクラスの設備を利用して測定と分析を行います。各種製品の電気パラメータ測定、信号分析、効率損失分析、軟磁性体B-H分析、永久磁石材料分析、表面磁場分布、透磁性測定などを行います。
番号
| カテゴリ
| 設備
| キーパラメータ
| テスト項目
| CNAS認定
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1
| 交流信号
| インピーダンス分析器
| 動作周波数：1M~1GHz
| 1.|Z|、|Y|、θ、R、X、G、B、L、C、D、Q、| Γ |、Γ x、Γ y、θ Γ、Vac、Iac、Vdc 1、Idc 1 |
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インピーダンステスト範囲：120 mΩ 至 52 kΩ
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基本精度：±0.65%
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2
| ネットワークアナライザー | 5Hz ～ 3GHz(インターフェースト1と2), 5 Hz ～ 30 MHz( 利得位相試験ポート), 1 MHz の解像度
| 1.Sパラメータ |
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| 2.インピーダンス解析機能：,IZI, θz , IYI, θy, Cp, Cs, Lp, Ls, Rp, Rs, D, Q, R, X, G, B， |
| 3、線形周波数スキャン、対数周波数スキャン、セグメントスキャン、パワースキャン(単位はdBmです)、直流バイアススキャン |
3
| 精密磁気素子分析器
| 周波数をテスト：20Hz~3MHz
| 1、L、|Z|、Rdc、C、Q、D、Rac、Ø、Turn-Ratio、Lk
| 承認 |
| L：0.1nH 到>1000H，R：0.01mΩ到>2GΩ |
| 基本測定精度：0.1% | 2、ボックスとの併用で磁気リング温度特性試験が可能
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| 直流バイアス試験システム | 最大出力電流：最高250A
周波数をテスト：20Hz~3MHz | 1.LCRなどのパラメーター、または直流バイアスの条件の下で測定しますLCRなどのパラメーター
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精度：±（0.7%+25mA）
| 2.ボックスとの併用によりデバイス高低温での直流バイアステストが可能
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4
| 多重データ収集装置
| 直流電圧ゲージ：100mV~300V
| 電圧抵抗温度周波数などの情報収集に使われ |
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電気抵抗ゲージ：100Ω~100MΩ
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温度ゲージ：RTD：-200~600℃；TC：-100℃~1200℃；Thermistor:-80℃~150℃
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周波数メトリック：3Hz~300kHz
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5
| 高週波LCRテスター | 周波数をテスト：20Hz~120MHz
L：0.1nH to >2kH
R，Z，X：0.01mΩ to >2GΩ
Q：0.00001 to >1000 | L、X、C、Y、Q、B、D、G、R、Z、θ
| 承認 |
基本的な測定精度：0.05%
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パターンを分析；電気メーターモード
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6
| 直流信号
| 微小抵抗計 | 抵抗範囲：0.001mΩ~3.5MΩ
| 直流抵抗器 | 承認 |
| 基本的な精度：0.02%；最小解像度：0.001mΩ |
7
| 直流電源 | 電圧ゲージ：0~60V，精度±0.5%Fs+3个字（10%~100%量程） | 温度電流テスト,動作寿命テスト
| 承認 |
| 电流量程：0~100A，精度：±(0.15%+0.1%Fs） |
8
| パルス式大電流インダクタンス測定器 | 電流を出：1A~1000A，出力電圧：10V~400V，インダクタンス測定の基本精度：±3%
| 飽和電流
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