VSEB
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メタルコンポジットインダクタ

磁気シールド構造、電磁妨害に優れた抑制効果を発揮(EMI)

一体成型構造、低バズノイズ

低損失、高効率、広応用周波数と適用範囲

低背小型化、省スペース、面実装に最適

低損失メタルコンポジット材料でダイカスト、低インピーダンズ、小寄生キャパシタンス

AEC-Q200準拠のコンポーネント 

使用温度:-55℃~+155℃(製品自己発熱含む)

関連シリーズ

製品シリーズ

インダクタンス(μH)

飽和電流(A)

昇温電流(A)

長さ(mm)

幅(mm)

高さ(mm)

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